| 研究課題/領域番号 |
02555058
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
阿部 正紀 東京工業大学, 工学部, 教授 (70016624)
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| 研究分担者 |
川又 肇 松下電子部品(株), 電子部品研究所, 室長
伊藤 友幸 東京工業大学, 工学部, 助手 (40203153)
五味 学 東京工業大学, 工学部, 助教授 (80126276)
玉浦 裕 東京工業大学, 理学部, 助教授 (00108185)
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| キーワード | フェライト / めっき / 薄膜 / 磁性体 |
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| 研究概要 |
Xeランプを用いて光照射フェライトメッキを行ない、Fe_3O_4膜の構造が使用する反応液の金属イオン濃度によって変化することを見い出した。すなわち、低濃度の水溶液を用いたときには膜面に垂直な柱状構造が観察されたが、高濃度の水溶液を用いたときには粒子径が増大し柱状構造が消失した。また、光照射フェライトメッキで問題となっていた膜表面の荒れを多糖類の一種であるデキストランを反応液に添加することにより改善し、飽和磁化の値を減少させることなく保磁力の値を減少させることに成功した。Fe_3ーxMxO_4(M=Ni,Mn,Co)膜を作製し、これらの膜の堆積速度は組成Xによって変化しないことが明かとなった。一方、光照射による膜堆積速度の増加の原因を分光学的に探査するために、前述のXeランプにコ-ルドミラ-(λ<〜750nm透過)、およびNDフィルタ-(NDー70、NDー40、NDー0.03、HOYA製)を取り付けた。膜堆積速度はコ-ルドミラ-を用いることにより、コ-ルドミラ-を用いない場合に比べて〜1/10に減少し、〜22nm/minとなった。膜堆積速度はNDフィルタ-の透過率に比例した。これらのことにより熱エネルギ-による基板の局所加熱によって高い膜堆積速度が得られたと推察される。現在、新規購入したアルゴンイオンレ-ザ-を用いてフェライトメッキを行ないフェライト膜の形成される条件を探査するとともに、フェライト膜のパタ-ンニングを行なう準備を進めている。レ-ザ-照射フェライトメッキ法により作製した膜のフェリ磁性共鳴を測定し、軟磁気特性及びマイクロ波特性が良好なフェライト膜作製条件を探査する。
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