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本研究の目的は光電子増倍管のゲイン較正に必要な高安定・短パルス幅フラッシュランプの開発を行う事にある。このため、(1)ガスの種類、(2)ガスの圧力、(3)放電電圧、(4)放電回路、(5)電極構造等の諸パラメ-タ-を最適化する事を試みた。まずガスの種類に関しては、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)、水素(H_2)、及び窒素(N_2)をテストした。この結果、Xeは光パルス幅は長いが、発光効率は高い事、N_2は逆に光パルス幅は短い事が判明した。また光量はガス圧を増加させると多くなる事、それに対して光パルス幅はガス圧に若干依存するが大きくは変化しない事が判明した。更に放電電圧も同様に、電圧を高くすると光量は増加するが光パルス幅は影響を受けない事が判った。光パルス幅を短かくする上で、放電回路は、いわゆるクリティカルダンピングの条件を満足する様調整する事が重要である。電極構造に関しては、アノ-ド・カソ-ド間隔が0.5mm、1.5mm及び3.0mmのランプを製作しテストした。この結果ギャップ間隔が広くなるにつれて、放電開始電圧は高くなり、かつ光パルス幅も長くなる事が判明した。これに対して発光効率は、0.5mmギャップ間隔のものは小さく、1.5mm/3.0mmのものは差がない事が判った。以上の結果を総合的に判断し、窒素ガス2気圧、アノ-ド・カソ-ド電極間隔1.5mmのランプの安定性を試した。この結果、相対安定度4%(rms)を得た。これを当初の目標と比較すると、キセノンランプに比べて光パルス幅では非常に短かいものが得られたが、安定性では若干劣る結果となった。光量の点では、キセノンランプの方が多いがこれは主としてパルス幅が長い事に起因している。我々の開発した窒素ランプについては、長期安定性の点を更に追求する必要があろう。
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