| 研究概要 |
1.ヘキサメチルジシランおよびオクタメチルトリシランの光分解ポリシラン類で最も基本的なヘキサメチルジシランおよびオクタメチルトリシランは真空紫外部にしか吸収を示さない。ここでは真空紫外光185nm光を光源とした。ヘキサメチルジシランからはトリメチルシランおよび1、3ージシラシクロブタンが得られた。これは光分解でケイ素ーケイ素結合切断によりトリメチルシリルラジカルが発生したことを示す。また、トリシランをヒドロシラン存在下で光分解すると、ヘキサメチルジシラン、トリメチルシラン、ヘプタメチルジシランおよびヒドロシランへのシリレン挿入生成物が得られた。これらはシリレン脱離によりジシランを生成する経路とケイ素ーケイ素結合切断でトリメチルシリルラジカルとヘプタメチルジシラニルラジカルが生成する経路が競争的に起こることを示す。以上はこれらの最も基本的な化合物でもポリシランの光反応性の一般性が成り立つことを示す。
2.アリ-ル置換14族カテナ-ト、PhMe_2EーE'Me_3(E,E'=Si,Ge)の光分解PhMe_2SiGeMe_3,PhMe_2SiMe_3およびPhMe_2GeGeMe_3の光分解を種々の条件で検討した。反応はまず金属ー金属結合切断により対応するラジカル対が生成するとして合理的に理解される結果を得た。
3.光誘起電子移動経由のケイ素ーケイ素結合切断と質量スペクトルポリシラアルカノ-ルの光誘起電子移動経由の求核的ケイ素ーケイ素結合切断と質量スペクトルに良好な相関が認められた。
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