| 研究概要 |
溶媒抽出系における界面反応を高速攪拌法と直接吸光光度法を用いて検討し、次の点を明らかにした。
1.2'ーヒドロキシー5'ーノニルベンゾフェノンオキシムによる銅(II)およびニッケル(II)の抽出速度の律速段階は,液液界面における試薬の解離型と金属イオンの1:1錯体の生成反応であることを明らかにした。また、ヘプタンとクロロホルムの溶媒効果についても検討した。
2.フォトダイオ-ドアレイ検出法を用い,ジチゾンと1,10ーフェナントロリン(phen)によるニッケル(II)の協同抽出速度を測定し,phenがジチゾンよりも高濃度になると界面に三元錯イオンが反応中間体として生成することを見い出した。
3.界面反応の直接吸光光度法として,次の三つの方法を検討した。
(1)陰イオン性,陽イオン性および非イオン性のo/wマイクロエマルション中におけるβージケトンの酸解離平衡を検討した結果,酸解離定数がマイクロエマルションの表面電荷に依存するのは、解離型の界面吸着性が表面電位に支配されるためであることを明らかにした。
(2)攪拌分散系における界面吸着化学種の吸収スペクトルを測定するためのセルを製作し,攪拌状態のトルエン/硫酸系におけるテトラフェニルポルフィン(TPP)のプロトン付加反応を測定した。その結果,硫酸濃度の増大につれ,界面においてH_2TPP^<2+>が生成し、さらにその会合体も生成することを明らかにした。
(3)テフロンフィルタ-およびテフロンシ-トを有機相の支持体とした液膜法により,界面の透過吸収スペクトルを測定した。この方法により,ロ-ダミンB誘導体およびTPPの界面におけるプロトン付加反応を明確に検出することができた。現在この方法を用いて、界面反応速度および界面反応に及ぼす外部電場の影響について検討中である。
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