| 研究概要 |
1.集積回路のメモリの配線に用いられるモリブデンシリサイド膜は直流マグネトロンスパッタ装置によって作製される。これまで,その組成が不均一を呈すること,また,組成不均一はタ-ゲットからのモリブデンのシリコンの放出角度分布が違うと仮定することによって説明できることを示した。今年度は,モリブデンとシリコンの角度分布の測定を試み,モリブデン原子はタ-ゲットほ法線方法に対し約60度の方向に放出されやすいこと,また,シリコン原子はほぼ当方的に放出されることを確認した。さらに,得られた角度分布を用いて,マグネトロンスパッタ装置による膜の組織分布を計算し,測定で観察されるような組成の不均一が現われることを示した。ところで,集積回路では,基板,既ちシリコンウェハの表面には凹凸があり,膜はウェハ面に対して傾いた面や段の陰になった部分にも堆積する。モリブデンとシリコンの角度分布が違うと,そのような部分では,組成が平担部分と異なるということが予想される。今後,今回得られた角部度布を用い,計算機シミュレ-ションによってこの問題を検討する予定である。
2.本研究テ-マの題名からはやや外れるが,原子の放出角度分布が膜の均一性に影響するという点で本研究テ-マと深く関係する問題,即ち,複合タ-ゲットによる合金膜の組成分布と金属膜の膜厚分布に関しても研究を行った。扇形の複合タ-ゲットのモザイク膜様の分割数と組成の均一性の関係を調べ,均一な膜を得るには分割数を16程度以上にする必要があることを示した。金属膜については,放電電圧を変えてアミニウム,銅,モリブデンの膜厚分布を調べた。得られた膜厚分布は,電圧が高くなるに従って原子が垂直方向に放出されやすくなることを示唆するような振舞を示した。
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