| 研究概要 |
(1)本年度はまずInP/InGaP歪超格子の界面の歪をナノメ-タ-電子回折により解析するため、試料作製技術の建ち上げを行なった。本助成金により半導体結晶を微小片に切断するディスクカッタ-を購入し上記の半導体超格子を0.3×0.3×0.3mmに切り出し、電子顕微鏡の試料ホルダ-に光学顕微鏡下で取り付けるシステムを開発した。
(2)InP/InGaP超格子の界面における歪の検出については,電子顕微鏡の暗視野像中の等厚干渉縞を用いる方法とナノメ-タ-電子回折を用いる方法の両方を試み、界面における歪が上下に対称ではないことを見い出した。またこの歪量は(220)格子面に換算して10^<ー3>rod程度であることも判明した。この結果は第12回国際電子顕微鏡学会及び応用物理学欧文誌に発表した。
(3)界面からのナノメ-タ-電子回折図形はTVービデオシステムにより記録できるようにし、プロ-ブを動かしながら回打図形を連続的に観察した。これによって歪の2次元分布を検討した。
(4)本年度は最初の計画をほぼ達成することができたので、平成3年度はこの歪分布の3次元的な描出の方法の開発を行なう予定である。
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