| 研究概要 |
100MeVのの電子により発生した対生成の陽電子を低速化して利用する。低速陽電子へのコンバ-タ-として,テ-プ状タングステンを使用した。モデレ-タ-から発生した低速陽電子は60〜80ガウスの磁場により2mの壁をへだてた実験室へ転送される。磁場による転送の最終段に磁場から静電場への変換を行なう“magnetic field Splitter"を設置した。より精度の高い低速陽電子ビ-ムによる応用研究のためには陽電子ビ-ムの輝度強化をはかる必要がある。磁場型ビ-ムから静電場型ビ-ムヘ変換時における1段モデレ-タ-及び2段モデレ-タ-により輝度変化をはかり、約0.5mm径のビ-ムを得ることができた。この低速陽電子ビ-ムを利用、高反射陽電子散乱の実験を行なった。Si(111)の試料を真空中で1000度に焼鈍した表面に5kevのエネルギ-の陽電子ビ-ムを(110)から入射した。Si(111)のロノクラウエ・ゾ-ンに対応するRHEPDパタ-ンを得ることができた。次に酸化物層、HfーCu多層材料〔Hf500Å/Cu500Å〕及び〔Hf1000Å/Cu1000Å〕についで低速陽電子入射エネルギ-に対するSパラメ-タ-の変化を測定した。低エネルギ-領域のSパラメ-タ-の減少は、酸化物層によるものと考えられる。各層の厚さ1000Å,2000Åの2〜3kevにおける比較的高いSパラメ-タ-の値は,2000Åの場合,1000Åに比較して、深さ方向に延長していることから、これは第一Hf層の厚さと相関がある。以上の結果からHf層内には空孔タイプの格子欠陥が非常に多く含まれ,Hf層内で熱活性化された陽電子はほとんどこの欠陥にトラップしていることがわかる。またこの空孔型格子欠陥が非晶質化に重要な役割を果たすものと考えられる。
|
