2002 年度実績報告書

表面ディールス・アルダー反応による半導体表面の化学修飾

研究課題

研究課題/領域番号	02F00606
研究機関	東京大学
研究代表者	上田寛東京大学, 物性研究所, 教授
研究分担者	HOSSAIN M. Z. 東京大学, 物性研究所, 外国人特別研究員
キーワード	シリコン / 表面 / 走査トンネル顕微鏡 / トリメチルアミン / アンモニア
研究概要	1.低温(70〜80K)におけるSi(100)表面を走査トンネル顕微鏡(STM)で研究し,長年にわたり論争が続いていた表面のC-欠陥について,新しいモデルを提案した。 2.Si(100)とルイス塩基分子との相互作用をSTMを用いて研究した。トリメチルアミン分子は100%選択的にダウンダイマー原子に吸着することを明らかにした。また,アンモニア分子はダイマー列にそって一次元島状に吸着していくことを見出した。

[文献書誌] H.Z.Hossain ほか: "Model for the C-defect on Si(100)"Phys. Rev. B. (in press). (2003)