| 研究分担者 |
NIEUWENBUYS ライデン大学, カメリンオンネス研究所(オランダ), 助教授
DEBOER F.R. アムステルダム大学(オランダ), 教授
浴野 稔一 広島大学, 総合科学部, 助手 (40185103)
鈴木 孝至 広島大学, 理学部, 助手 (00192617)
佐藤 憲昭 東北大学, 理学部, 助手 (30170773)
小松原 武美 東北大学, 理学部, 教授 (80004331)
桜井 醇児 富山大学, 理学部, 教授 (30033814)
藤田 敏三 広島大学, 理学部, 教授 (20004369)
高畠 敏郎 広島大学, 総合科学部, 助教授 (40171540)
SECHOVSKY V. チャールズ大学, 物理学科(チェコスロバキア), 教授
VISSER A De. アムステルダム大学, ファンデルワールス研究所(オランダ), 研究員
FRONSE J.J.M アムテルダム大学, 自然科学研究所(オランダ), 教授
MYDOSH J.A. ライデン大学, カメリン・オンネス研究所(オランダ), 教授
MENOVSKY A.A アムステルダム大学, 自然科学研究所(オランダ), 教授
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| 研究概要 |
日本とオランダとの国際学術共同研究として、重い電子系の物質探索と典型物質の単結晶の多面的系統的物性研究を行っている。(1)重い電子系化合物探索は、4つのグル-プ(広大、東北大、アムステルダム大、ライデン大)が密接に連絡を取りながら、それぞれ独立に行ってきた。その結果、広大では、ウラン三元系UT_2X(T=Ni,Cu,Pd,Pt,Au;X=Al,Ga,Sn)の物質探索を行い、UNi_2Ga,UPd_2GA(いずれも六方晶ZrPt_2Al型構造)およびUAu_2Al(斜方晶YPd_2Si型構造)はいずれも弱い反強磁性を伴った重い電子系物質(電子比熱係数γ〜100ー300mJ/K^2mole UであることおよびUCu_2Sn(ZrPt_2Al型)はT_N=16.6K以下で電気抵抗の異常上昇を伴った重い電子系(γ〜60mJ/K^2mole)であることを明らかにした。東北大グル-プはUPtSi_2およびU_2PtSi_3の新しい重い電子系化合物を見出し、現在その調物性を明らかにしてきている。オランダのライデン大では、非磁性で重い電子化合物U_3Ni_3Sn_4と非磁性半導体U_3Ni_3So_4の混晶系において、中間組成でキャリア-数が減少しているにもかかわらず重い電子状態が安定化することを明らかにした。(2)典型的物質単結晶としては、高温で価数揺動状態にあり低温で質量増強した準粒子のフェルミ・エネルギ-にV字型のギャップが形成され、金属から半導体へ転移するCeNiSnを取り上げた。アムステルダム大学のMenovsky博士の下で、高畠(広大)がCeNiSnの純良学結晶を育成し、Franse教授、deVisser博士とともに熱膨張脹を0.05Kから15Kまでの温度範囲で測定した。その結果、斜方晶(εーTiNiSi)のb軸方向の線膨脹係数αbのみが、ギャップが開く6Kでピ-クを示しその後急速に減少し、飽和傾向を示すことを明らかにした。現在、グルノ-ブルのRegnault博士とともに、CeNiSnの中性子非弾性散乱の実験を続けている。又東北大、佐藤はアムステルダム大学で、dHyA効果測定用試料U_3Ni_3Sn_4単結晶の作成を続けている。
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