| 研究概要 |
平成3年度は、金属/半導体,半導体/半導体界面の構造評価と電子物性の測定をナノメ-タ-サイズで行なうために電界放射型電子鋭を備えた電子顕微鏡でナノ回折,ナノEELS(電子線エネルギ-損失分光)の実験を進めた。電界放射型電子鋭を用いることにより、(1)5〜10nmのプロ-ブ径で角度分解能0.1mrad以下のナノ電子回折ができ、半導体界面のナノメ-タ-サイズの領域の格子歪を検出することができた。また(2)半導体超格子の数nm中の1個1個の量子井戸の電子状態を測定するため、ナノプロ-ブでEELSスペクトルが得られることも示した。平成3年度後半には上記EELSのデ-タを検証するとともにナノプロ-ブをMgO表面に適用して、表面に関するデ-タを得た。さらに最近発見された金と酸化物半導体界面におけるNO,CO分解の触媒作用の機構を明らかにする研究も行った。
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