| 研究概要 |
遊離Siを多く含むSic超微粉にBを1%添加して,1700〜1950℃で焼結すると,八面体を基本とする多面体状のβーSiC結晶が成長し,その時定の表面にSiCの2次粒子がエピタキシャル成長する。SEM観察からその2次粒子が成長している面は極性面の一つである{111}面であることは結論されたが,それがSi面であるかC面であるかの絶対極性はまだ決定できていない。熱腐融あるいは化学腐触を行い微分千渉顕微鏡で極性面の特微を明らかにしようとしたが,まだ有意な結論は得られていない。前半の極性面上に2次粒子が成長することに重点を置いた研究成果は、1991年7月に名古屋で開かれたVapor GrowthとEpitaxyの国際会議(ICVGEー7)で報告した。論文としてはJpm.J.Appl.Phys.に投稿したが,絶対極性が決っていないということでリジェクトされたので,現在それを修正して再投稿中である。また,2次粒子の成長の様子と母結晶の双晶との間に密接な関係があることを明らかにし,今夏サンジェブで開かれる結晶成長国際会議(ICCGー10)で発表する予定で,そのProc.をJ.Cryst.Growthに投稿中である。
2次粒子が成長する条件よりもBを多く添加して焼結温度を高くすると板状のαーSiCが成長しやすい。その板状結晶の表面の成長模様は微分千渉顕微鏡の格好の試料であり,極性と成長模様の対応付けを行ってその成果をまとめようとしている段階でもある。
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