| 研究概要 |
本年度は本研究の初年度にあたる。研究はほぼ当初の計画に沿って行なわれ,以下のような成果が得られた。
1.研究環境の整備。既存の設備と新規購入品を組み合わせることにより,真空排気系,冷却系,デ-タ取得系などを整備した。2.低雑音電荷増幅器の開発。半導体を用いたX線検出器には,低雑音電荷増幅器が決定的な役割をもつ。このため増幅器初段のFETやフィ-ドバック低抗の細かい吟味を行ない,低雑音の品種を選定した。また電源からの雑音を減らし,音響雑音を遮継するなど,増幅器の改良に力を注いだ。3.市販PINダイオ-ドの特性試験。2.で開発した増幅器を用い,市販の5×5素子のPINダイオ-ドアレイの特性試験を行なっている。理時点では常温で約0.5keV(rms),ー20℃で0.3keVの雑音レベルが得られており,すでに約8keVより上のエネルギ-域では,常温でも優れたX線検出器として作動している。4.位置読み出し方法の開発。ダイオ-ドアレイの信号を,なるベく良い特性を損わず簡便に読み出す方法を考案中である。この目的のためには,よく似た信号読み出し方法を用いた位置検出型蛍光比例計数管がたいへん参考となるので,本研究を支援するため蛍光比例計数管の位置読み出し方法の改良も行なっている。5.PINダイオ-ドの特性を把握する目的で,結晶シンチレ-タの発光をダイオ-ドで受ける実験を行い,約 keV以上のエネルギ-域では有効に使えることを示した。6.今後の特性試験にそなえ,X線発生装置,2次タ-ゲット,XZテ-ブルなどを組み合わせた較正システムを構築しつつある。
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