| 研究概要 |
我々はPbの析出を約1%含むInをド-プしたPb_<1ーX>SnxTe(X=0.25)フィルムを作製し,低温での電気伝導の光照射による変化を測定した。その結果,このフィルムではPb_<1ーX>SnxTe/Inによる永久光伝導とPb_<1ーX>SnxTe/Pbによる超伝導が共存することを確認した。さらに,このフィルムに遠赤外光レ-ザ-や室温からの放射光を照射することにより,その超伝導転移温度(Tc)が約1K上昇することを観測して,それを光励起キャリア数の増加により,超伝導近接効果による,Pb粒子間のジョセフソン結合が強くなるために起こると予測してきた。
今年度はさらに,このフィルムを電子顕微鏡で直接観測し,直径が数十nmのPbの粒子が折出していて,その間隔が粒径とほぼ同程度であることを確認し,我々が提唱しているモデルが正しいことを証明した。
さらに,超伝導近接効果と光励起キャリアとの間係をより定量的に研究するために,Inをド-プしたPb_<1ーX>SnxTe単結晶やGaAs/AlGaAsヘテロ構造基板上に,電子ビ-ムリソグラフをもちいた,サブミクロンのサイズの微細加工技術により,数百nm人工的に隔てられた超伝導金属の電極を作製し,その超伝導特性の予備的な測定をした。
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