| 研究概要 |
我々は,超伝導体-半導体-超伝導体接合からなるメゾスコピック構造素子の作製し,その超伝導特性の光照射による変化の測定を試みた
超伝導体と半導体が接合すると,超伝導体内の超伝導オーダー・パラメーターが半導体中に染みだす,超伝導近接効果が知られている。超伝導近接効果の理論によると,その侵入距離は半導体のキャリア濃度
易動度などに依存することが知られている。 超伝導体-半導体-超伝導体接合において,中間に入っている半導体のキャリア濃度などを外部から何らかの操作により変化させることにより,超伝導侵入距離が変化するので,この系の超伝導特性が変化することが期待される。実際ゲード電極により制御した例は超伝導トランジスターとして既によく知られているが,我々は光を照射することによる光励超キャリアにより,この系の超伝導特性を制御することを試みた。 半導体としてはIuをドープしたPb1-XSuxTo(Xニ0・25)単結晶を用いた。 この物質は易動度が大きくかつ低温では光照射により非常に大きなﾞ永久光伝導ﾞを示すことが知られている。 超伝導体としてはAu/Pb/Iuの多原膜を用いた。 この理由はPb膜単体に比べて膜質がよく,微細加工に適しているからである。 この超伝導多原膜を半導体単結晶基板上に電子ビーム露光技術より,ギャップを最小幅0・1Mmに蒸着,加工したメゾスコピック素子を作製することに成功した。 現時点では,電極と半導体基板との絶緑がうまくゆかず 電極が不安定であるため超伝導特性の測定には成功していないが,現在攻良を加えて測定が進行中である。
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