| 研究概要 |
我々は超伝導体-半導体-超伝導体微小接合素子を作製し,その超伝導物性を外部から光を照射することにより制御することを試みた。半導体として大きな永久光伝導を示し,超伝導体と良好な接合が得られるPb_<1-X>SnyTe/In(X=0.25)単結晶を,超伝導体としては膜質がよいAu/Pb/Inの多層膜をもちいた。今年度は電極と半導体基板の絶縁をよくするためSiO膜を間にはさんだ素子を作製した。
その結果,超伝導転移温度以下の低温において,超伝導体と半導体のギャップが0.3μm以下の試料において,ジョセフソン接合効果によると思われる,電流-電圧特性にヒステリシスを観測した。
また光を照射することにより抵抗が急激に増加する電流値(臨界電流)が増加することが確認された。
このことから我々はこの微小素子において,その超伝導特性を光により制御することに成功したものと思われる。
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