| 研究概要 |
1.スピン量子数1をもつ一次元ハイゼンベルグ反強磁性体の代表的物質であるNENPに少量のCuをドープした単結晶についてESRの測定を行い,二組の超微細構造を観測した。この結果はVBSモデルに基づくフラクショナルスピンと銅の原子核スピンの相互作用によるとしてうまく説明することが出来た。
2.NENPに3.3at%の銅をドープした単結晶について8Tまでの定常磁場及び40Tまでのパルス磁場中で磁化の測定を行った。磁化は低磁場で急に増加し約4T以上で飽和する。更に磁場を増加させると不純物をドープしないNENPと同じように磁化は磁場に比例して増加する。低磁場での磁化曲線はVBSモデルに基づくフラクショナルスピンと銅の電子スピンの結合系についての計算により定量的な説明が可能となった。高磁場での磁化のふるまいは,ハルデンギャップの消失によるとして説明出来る。
3.スピン量子数1をもつ一次元ハイゼンベルグ反強磁性体TMNIN及びNINAZについて超強磁場中で磁化測定を行い,ある磁場の値以上で磁化が急激に出現することを見出した。この結果は以前に勝又等により報告されたNENPの場合と同様なものであり,TMNINとNINAZにおいてもハルデンギャップが存在することが実験的に証明された。TMNINにおいては全磁化過程が測定された。
4.通常の方法よりも早い時間で成長させたNENP単結晶についてESR及び帯磁率の測定を行い,フラクショナルスピンの存在を観測した。
|
