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本研究の目的は、従来のBCS超伝導体では不可能とされている室温超伝導への試みとして、理論的に予言された新しい機構の超伝導現象、即ち非常に薄い絶縁膜によって空間的に分離された正孔ー電子によるク-パ-対によって生じる超伝導現象を確認することにあるが、本研究の特色は、絶縁膜として膜厚制御が容易なLB膜を用いることであった。素子の構造としてはBi(n型)/50A^^°LB膜/Bi_2Te_3(p型)を考え、この素子の作成を行った。しかし、p型の電極を作成する際、成膜時の組成が問題となり、現行の蒸着装置では組成比を制御することが困難なためn型しか得られず、予定の素子が作成できなかった。よりp型にな りやすい金属を探しているが見つかっていない。また購入したLB膜製膜装置によって良質の膜は得られたが、電極を蒸着する際のダメ-ジと考えられるピンホ-ルによって絶縁の悪い素子も多くあった。この対策として累積総数を増やすことが考えられるが、あまり厚いと意味がないので、蒸着時のダメ-ジを減らすように、基板冷却装置を組み込む必要がある。一方、別の試みとして、蒸着を必要とする金属ではなく、半導体LB膜のp型メロシアニンとn型ビオロゲンをそれぞれp型層およびn型層として利用することも検討している。しかし、これらの半導体LB膜はキャリア密度や易動度などが不明であるので、これは準備段階である。また、LB膜とは離れて、キャリア濃度や易動度が確実に分かっているn型およびp型のSiウエハ-を用い、張り合わせによってn型/SiO_2/p型構造の素子を作る試みも行なっているところである。何れにしても、現段階ではまだ当初の目的に対する成果は得られていない。
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