| 研究概要 |
本研究の目的は、従来のBCS超伝導体では不可能とされている室温超伝導への試みとして、理論的に予言された新しい機構の超伝導現象、即ち非常に薄い絶縁膜によって空間的に分離された正孔-電子によるクーパー対によって生じる超伝導現象を確認することにあるが、特色は、絶縁膜として膜厚制御が容易なLB膜を用いることであった。昨年と同様に素子の構造は(n型半導体)/50ALB膜/(p型半導体)とし、この素子の作成を試みた。当初p型の電極としてBi_2Te_3などを用いたが、現在の蒸着装置では蒸着する際の組成ずれがどうしても制御できずn型の膜しか得られなかった.そこで、p型金属の代わりにp型のSi基盤を用い、その上に50ALB膜およびn型のBi等を累積する方法を試みた。しかしLB膜を薄くすると必ずピンホールが開いてしまい、十分な絶縁をとることができず、目的の素子は得られていない.一方、昨年に引続き、LB膜とは離れてキャリア濃度や易動度が確実に分かっているn型およびp型のSiウエハーを用いて、張り合わせによって(n型)/SiO_2/(p型)構造の素子を作る試みも行なってみたが、やはり、広い面積で50A程度の一様な絶縁膜を作成しようとすると、張り合わせる際に導通してしまい、結局目的の素子は得られなかった。また、SiO_2層の代わりに薄い間隙をつくる方法も試みているが、まだ間隙を十分薄くできていない。科学研究費による補助は今年度で終わるが,今後もこの素子の可能性について調べることにしている。
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