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1.電子ビームCVD法による堆積速度の実験パラメータ依存性
反応性ガスとしてFe(CO)_5を、試料としてSiO_2を用い、電子ビームCVD法の実験を行った.その結果、
(1)測定した電子ビームの加速電圧の範囲(1kV〜10kV)内では、加速電圧が低いほど堆積速度が大きくなった.これより電子ビームCVDには主として二次電子が寄与していると考えられる.
(2)測定した電子ビーム電流の範囲(1nA〜10nA)内では、堆積速度はビーム電流に比例する.
(3)測定したガス流量の範囲(0.5〜2.3x10^<-3>Torrl/sec)内では、堆積速度はガス流量を多くするほど大きくなるがしだいに飽和の傾向を示すことがわかった.
(4)測定した試料温度の範囲(-10〜60°C)内では、試料温度を低くするほど、堆積速度は大きくなった.この際、試料室真空中の残留物の堆積も考慮する必要があった.
(5)電子ビーム走査速度を変化させCVDを行った結果、その結果の差異は認められなかった.
2.堆積金属膜の比抵抗の評価
10μm幅と間隔を持つAl配線間にFe膜を電子ビームCVD法により形成し、比抵抗を測定することを試みた.その結果、比抵抗は膜の形成とともに減少するが、純粋なFeの比低抗に比較してはるかに大きい値となった.この原因として、Al配線表面がすでに酸化しており、絶縁膜であるAl_2O_3を形成していたためと考えられた.このため、堆積対象物の表面の前処理が非常に重要であることがわかった.
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