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高濃度金属スピングラスを磁性電子の遍歴性の度合いから分類したときの両極端に位置すると考えられる物質を探索し、その良質単結晶試料を作成して、中性子散乱実験によって強磁性相・スピングラス相における磁気励起を測定し、磁性電子の遍歴性とスピングラスとしての性質との関連をあきらかにするとの当初の方針に従って一連の研究を行なった。局在電子系に近い側の物質としては Mn原子サイトを非磁性原子Tiで希釈したホイスラー型合金Cu_2(Mn_<1-x>Ti_x)Alがこの研究に最適であることがわかった。磁化測定によってこの系の全組成域での磁気相図を決定し、上記の実験の最適な組成(X=0.30)の単結晶試料を作成した。この単結晶試料を用いた中性子弾性散乱実験を行ない、磁気ブラッグ散乱、磁気散漫散乱の温度依存性を測定した。Cu_2(Mn_<0.70>Ti_<0.30>)Alにおいては昨年度行なった Fe_<65>(Ni-Mn)_<35>(磁性電子の遍歴性がより強い)に比べ散漫散乱関数から決定した磁気相関長が約1けた短いことがわかった。中性子非弾性散乱も行ない強磁性相でのスピン波励起を観測した。スピングラス相でのスピン波励起の測定は現在進行中のでありこれらの結果を既に測定を終了したFe_<65>(Ni-Mn)_<35>の結果と比較することにより当初の研究目的を達する事ができる。磁性電子の遍歴性が強い極限に近い物質として MnSi-CoSi系を見つけ、磁化測定からこの系の磁気相図を決定した。また、多結晶試料による中性子非弾性散乱実験からFe_<65>(Ni-Mn)_<35>と同様にスピングラス相でのスピン波励起の存在が報告されている Ni-Mn系の単結晶試料を作成した。磁気散漫散乱やより広い波数範囲での非弾性散乱実験が可能でありFe_<65>(Ni-Mn)_<35>、Cu_2(Mn_<1-x>Ti_x)Al系とのより詳しい比較が可能になると期待される。
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