| 研究概要 |
微小領域の残留応力を精度良く測定するために,高性能二次元X線検出器のイメ-ジングプレ-トを使用する方法を提案,実施した。まず,専用の背面反射型X線カメラを特注により製作購入,これにより応力測定を実施した。また撮影したイメ-ジングプレ-トのデ-タ処理を行うための計算機ソフトウエアを作成した。
主な結果は以下の通りである。
1)X線カメラの動作は良好で,特に全反射型X線ガイドチュ-ブを使用したことで,X線フイルムを使用した場合に比べて1/50程度に露出時間を短縮することに成功した。そのため,500μm程度のX線ビ-ムサイズの撮影でも約5分程度の露出で解析可能な回折像が得られた。
2)イメ-ジングプレ-トの情報を読み取り光デイスクに記憶するソフトウエアを新たに開発し,従来のソフトウエアでは18分を要していた光デイスクへの記憶時間を約1分程度に短縮することが出来た。
3)デ-タ処理用ソフトウエアは一応目標通りに作動したが,デ-タ読み取りをXY座標系で行っているための読み取り誤差が生じ,結果に影響を及ぼすことが判明した。解決策の一つはRーθ座標系による読みとりの開発であるが,また別の問題を引き起こす可能性もあるので,次年度はこの問題を優先的に取扱う予定である。
4)セラミックスのうち,アルミナと室化ケイ素について応力測定を行なったところ,従来のSin^2ψ法に匹敵する精度の測定が可能と見通しをもつに至った。
今後は,現在よりビ-ムサイズを絞っての測定をより容易に行えるようにする所存である。
|
