• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

1993 年度 研究成果報告書概要

超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 04044062
研究種目

国際学術研究

配分区分補助金
応募区分共同研究
研究機関東京工業大学

研究代表者

小田 俊理  東京工業大学, 工学部, 助教授 (50126314)

研究分担者 MILNE Willia  ケンブリッジ大学, 工学部, 上級講師
MOORE David  ケンブリッジ大学, 工学部, 講師
座間 秀昭  東京工業大学, 工学部, 助手 (50206033)
杉浦 修  東京工業大学, 工学部, 助教授 (10187643)
松村 正清  東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
研究期間 (年度) 1992 – 1993
キーワード超高速デバイス / 超伝導デバイス / 極微細加工プロセス / 電子ビーム露光技術 / 超薄膜結晶成長 / 量子効果デバイス
研究概要

1.超伝導超薄膜微細構造デバイスの設計と製作
東京工業大学の小田、座間とケンブリッジ大学のム-アは共同で超伝導デバイスの研究を行った。小田らは、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いて、500℃という低温でYBaCuO系超伝導薄膜の堆積に成功した。さらに、厚さ10nm以下の超伝導超薄膜の開発に成功し、3分子層(厚さ3.6nm)から超伝導オンセット特性が観測され、4分子層(厚さ4.8nm)ではゼロ抵抗温度が30Kの薄膜、厚さ10nmでは臨界温度80Kを得た。薄膜の最表面と基板側界面第1層は超伝導電流パスが安定に存在できないことが知られていることを考慮すると、YBaCuOは実効的に1分子層で超伝導電流が流れていることを意味している。このことは、本研究で開発したMOCVD法によるYBaCuO薄膜が世界最高水準の高品質薄膜である事を示している。さらに、原子層毎に制御して結晶成長を行うことにより、表面マイグレーションを促進する事を見出しており、原子間力顕微鏡観察により10μm角の視野に於いて表面の平滑性が±1分子層以下という従来にない極めて平滑なデバイスグレード薄膜を作製することが出来た。また、光リソグラフィ技術により微細加工した超伝導薄膜の電気特性の評価から臨界電流密度は低温では10^7Acm^<-2>を越える高品質膜であることが分った。ム-アらは、YBaCuO膜に350KeVの電子ビーム照射を行いジョセフソン接合を形成し、臨界電流の磁場依存性から接合は均一に形成されていることを見出した。
2.シリコン超薄膜超微細構造デバイス
(1)シリコン原子層エピタキシ-
東京工業大学の松村と杉浦は、ジクロロシランと水素ラジカルを交互供給することにより、1サイクル当り1原子層という理想的なシリコンの原子層エピタキシ-を実現した。さらに、有機ゲルマンと水素ラジカルの組合せにより、ゲルマニウムの原子層エピタキシ-にも世界で初めて成功した。これらの技術を応用して、IV族ヘテロ原子層エピタキシ-の実現に取り組んでいる。
(2)シリコントレンチ酸化膜量子細線の作製と特性評価
東京工業大学の小田は、シリコン量子細線構造デバイスとしてトレンチ酸化膜構造を提案した。まず、スーパーコンピュータを用いて、MOS反転層とトレンチ酸化膜によりどの程度の領域に電子を閉じ込めることが出来るかをシミュレーションして、容量電圧特性により量子効果を確認できることを推定した。次いで、電子ビーム露光、ECR反応性イオンエッチングによりトレンチ酸化膜MOS構造を作製し、28nm線幅のトレンチ構造で0.5Kの極低温下に於いて量子効果とみられる容量電圧特性の構造を確認した。
(3)ディジタルCVD法によるナノクリスタルシリコンの作製
東京工業大学の小田は、シリコン量子ドット構造の形成を目的として、微結晶シリコンの形成過程を、核形成,膜堆積、結晶成長、未結合手不活性化、ポテンシャル障壁形成、粒径制御の各ステップに分離したパルスプラズマプロセスを提案した。実験の結果、核形成、結晶成長に水素ラジカルが重要な役割を果すことを見出した。また、有効なポテンシャル障壁の形成のために微結晶シリコンの周囲のアモルファスシリコンを選択的にエッチングを行うのに水素ラジカルが有効であることを見出した。
(4)シリコン薄膜トランジスタ
東京工業大学の松村とケンブリッジ大学のミルンはアモルファスおよび多結晶シリコンを用いた高性能薄膜トランジスタの研究を行い、信頼性の改善、高集積回路への応用、神経網回路への応用を検討した。さらに、ミルンは、プラズマアーク法を用いて、4配位ダイアモンド薄膜の堆積に成功した。
(5)超高分解能電子ビーム露光による電界放射3端子デバイス
ケンブリッジ大学のム-アは、窒化シリコン上のタングステン薄膜を電子ビームにより直接加工を行い、100V以下で動作する電界放射3端子デバイスの動作を確認した。

  • 研究成果

    (64件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (64件)

  • [文献書誌] M.Otobe: "Separation of Nucleation and Growth Processes of Nano-crystalline Silicon by Hydrogen Radical Treatment of Hydrogenated Amorphous" Materials Research Society Symposium Proceedings. 283. 519-524 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Self-limiting Adsorption and In-Situ Optical Monitoring for Atomic Layer Epitaxy of Oxide Superconductors" Thin Solid Films. 225. 284-287 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Frequency Effects in Processing Plasmas of the VHF Band" Plasma Sources Science & Technology. 2. 26-29 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Sakai: "In-Situ Optical Monitoring of Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3Ox" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L683-L686 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 小田俊理: "CVDによる酸化物超伝導体のlayer by layer成長とin-situ光学モニター" 固体物理. 28. 33-37 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Staircaselike Structures in In Situ Optical Reflectance Measurement as an Evidence for Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition." Applied Surface Science. 75. 259-262 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Tsukui: "Proposal of Trench-Oxide Metal-Oxide-Semiconductor Structure and Computer Simulation of Silicon Quantum Wire Characteristics" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 6213-6217 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Otobe: "The Role of hydrogen Radicals in Nucleation and Growth of Nanocrystalline Silicon" Journal of Non-Crystalline Solids. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "High Quality YBaCuO Thin Film Growth by Low-Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Nitrous Oxide" Materials Research Society Symposium Proceedings. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "Superconducting Properties of Ultrathin Films of YBaCuO Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at 500℃" Japanese Journal of Applied Physics. 33(印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Otobe: "Selective Etching of Hydrogenated Amorphous Silicon by Hydrogen Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. 33(印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] W.Gasser: "Quasi-Monolayer Deposition of Silicon Dioxide" Thin Solid films. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Imai: "Atomic Layer Epitaxy of Si Using Atomic H" Thin Solid Films. 225. 168-172 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Sugahara: "Electronic Structures of Si-Based Manmade Crystals" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 384-388 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.J.Pauza: "High-T。Josephson Junctions by Electron Beam Irradiation" IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 3. 2405-2408 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] D.F.Moore: "Microfabrication of Freestanding Structure" Microelectronic Engineering. 21. 459-462 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.J.Pauza: "Josephson Junction in YBa_2Cu_3O_<7->δ by Electron Beam Irradition" Physica. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] D.F.Moore: "Fabrication of Freestanding Structures and Proposed Applications in Sensors" Journal Vacuum Science & Technology. B11. 2548-2551 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] A.C.F.Hoole: "Directly Patterned Low Voltage Planar Tungsten Field Emission Structures" Journal Vacuum Science & Technology. B11. 2574-2578 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.C.Deane: "The Role of the Gate Insulator in the Defect Pool Model for Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Trangistor Characteristics" Journal of Applied Physics. 73. 2895-2901 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] V.Veerasamy: "N-Type Doping of Highly Tetrahedral Diamond-like Amorphous Carbon" Journal of Physics:Condensed Matter. 5. L169-L174 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] V.Veerasamy: "Plasma Motion in a Filtered Cathodic Vacuum Arc" IEEE Transactions on Plasma Science. 21. 322-328 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] P.J.Fallon: "Properties of Filtered Ion Beam Deposited DLC as a Function of Ion Energy" Physical Review B. 48. 4777-4782 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Photoconductivity in Highly Tetrahedral Diamond-like Amorphous Carbon" Applied Physics Letters. 63. 370-372 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] P.Morgen: "Thermally Stimulated Defect Removal in Hydrogenated Amorphous Silicon THin Film Transistors" Journal of Non-Crystalline Solids. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] R.Carluccio: "Activated Hydrogen Effects on the Electrical Stability of a-Si:H TFTs" Journal of Non-Crystalline Solids. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Doping of Highly Tetrahedral Amorphous Carbon" Journal of Non-Crystalline Solids. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Properties of Tetrahedral Amorphous Carbon as Function of Ion Energy" Journal of Non-Crystalline Solids. (印刷中). (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Sakai: "In Situ Optical Diagnostics for Layer-by-Layer CVD of YBaCuO Films" Springer-Verlag,Tokyo, 841-844 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "Advances in Superconductvity V" Springer-Verlag,Tokyo, 947-950 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "Advances in Superconductvity V" Springer-Verlag,Tokyo(印刷中), (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Nanostructure and Quantum Effects" Springer-Verlag,Tokyo(印刷中), (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Otobe: "Separation of Nucleation and Growth Processes of Nanocrystalline Silicon by Hydrogen Radical Treatment of Hydrogenated Amorphous" Materials Research Society Symposium Proceedings. 283. 519-524 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Self-limiting Adsorption and In-Situ Optical Monitoring for Atomic Layer Epitaxy of Oxide Superconductors" Thin Solid Films. 225. 284-287 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Frequency Effects in Processing Plasma of the VHF Band" Plasma Sources Science & Technology. 2. 26-29 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Sakai: "In-Situ Optical Monitoring of Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3Ox" Japanese Journal of Applied Physics. 32. L683-L686 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductors and In Situ Optical Monitoring of Crystal Growth (in Japanese)" Kotai Butsuri (Solid State Physics). 28. 33-37 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: "Staircaselike Structures In Situ Optical Reflectance Measurement as an Evidence for Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-Deposition." Applied Surface Science. 75. 259-262 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Tsukui: "Proposal of Trench-Oxide Metal-Oxide-Semiconductor Structure and Computer Simulation of Silicon Quantum Wire Characteristics" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 6213-6217 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Otobe: "The Role of hydrogen Radicals in Nucleation and Growth of Nanocrystalline Silicon" Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166. 993-996 (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "High Quality YBaCuO Thin Film Growth by Low Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Nitrous Oxide" Materials Research Society Symposium Proceedings. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: "Superconducting Properties of Ultra-thin Films of YBaCuO Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at 500^゚C" Japanese Journal of Applied Physics. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Otobe: "Selective Etching of Hydrogenated Amorphous Silicon by Hydrogen Plasma" Japanese Journal of Applied Physics. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] W.Gasser: "Quasi-Monolayer Deposition of Silicon Dioxide" Thin Solid Films. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Imai: "Atomic Layer Epitaxy of Si Using Atomic H" Thin Solid Films. 225. 168-172 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Sugahara: "Electronic Structures of Si-Based Manmade Crystals" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 384-388 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.J.Pauza: "High-Tc Josephson Junctions by Electron Beam Irradiation" IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 3. 2405-2408 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] D.F.Moore: "Microfabrication of Freestanding Structure" Microelectronic Engineering. 21. 459-462 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.J.Pauza: "Josephson Junction in YBa_2Cu_3O^<7->delta by Electron Beam Irradition" Physica. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] D.F.Moore: "Fabrication of Freestanding Structures and Proposed Applications in Sensors" Journal Vacuum Science & Technology. B11. 2548-2551 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] A.C.F.Hoole: "Directly Patterned Low Voltage Planar Tungsten Field Emission Structures" Journal Vacuum Science & Technology. B11. 2574-2578 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.C.Deane: "The Role of the Gate Insulator in the Defect Pool Model for Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor Characteristics" Journal of Applied Physics. 73. 2895-2901 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] V.Veerasamy: "N-Type Doping of Highly Tetrahedral Diamond-like Amorphous Carbon" Journal of Physics : Condensed Matter. 5. L169-L174 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] V.Veerasamy: "Plasma Motion in a Filtered Cathodic Vacuum Arc" IEEE Transactions on Plasma Science. 21. 322-328 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] P.J.Fallon: "Properties of Filtered Ion Beam Deposited DLC as a Function of Ion Energy" Physical Review B. 48. 4777-4782 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Photoconductivity in Highly Tetrahedral Diamond-like Amorphous Carbon" Applied Physics Letters. 63. 370-372 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Properties of Tetrahedral Amorphous Carbon as Function of Ion Energy" Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] G.A.J.Amaratunga: "Doping of Highly Tetrahedral Amorphous Carbon" Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] R.Carluccio: "Activated Hydrogen Effects on the Electrical Stability of a-Si : H TFTs" Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] P.Morgen: "Thermally Stimulated Defect Removal in Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistors" Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166. (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Sakai: Springer-Verlag, Tokyo. Advances in Superconductivity V, 841-844 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: Springer-Verlag, Tokyo. Advances in Superconductivity V, 947-950 (1993)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Zama: Springer-Verlag, Tokyo. Advances in Superconductivity VI, (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Oda: Springer-Verlag, Tokyo. Nanostructure and Quantum Effects, (1994)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

URL: 

公開日: 1995-02-07  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi