• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

1992 年度 実績報告書

シリコン・マイクロストリップ放射線検出器の開発研究

研究課題

研究課題/領域番号 04044125
研究機関広島大学

研究代表者

大杉 節  広島大学, 理学部, 助教授 (30033898)

研究分担者 HUGH Montgom  フェルミ国立加速器研究所, 上級研究員
PAUL Grannis  ニューヨーク州立大学, 物理, 教授
BRADLY Hubba  カリフォルニア大学, サンタクルツ校素粒子研究施設, 研究員
MARK Strovin  カリフォルニア大学, バークレイ校・物理, 教授
HARTMUT Sadr  カリフォルニア大学, サンタクルツ校素粒子研究施設, 教授
ABRAHAM Seid  カリフォルニア大学, サンタクルツ校・物理, 教授
岩田 洋世  広島大学, 理学部, 助手 (20168579)
醍醐 元正  和歌山県立医科大学, 助教授 (40145925)
宮田 等  新潟大学, 理学部, 助手 (80192368)
小林 茂治  佐賀大学, 理工学部, 助教授 (00039273)
村上 明  佐賀大学, 理工学部, 教授 (60039253)
長島 順清  大阪大学, 理学部, 教授 (90044768)
海野 義信  高エネルギー物理学研究所, 助教授 (40151956)
田村 詔生  岡山大学, 理学部, 助教授 (00025462)
キーワードシリコン検出器 / マイクロストリップセンサー / シリコンストリップ検出器 / シリコン放射線検出器 / 放射線検出器 / 半導体放射線検出器
研究概要

平成4年の4月より実寸大両面シリコン・マイクロストリップセンサーの設計を開始し,浜松ホトニクスの協力を得て8月に最初の試作センサーを製作した。このセンサーはこれまでの積みあげて来た研究成果のすべて盛り込んだもので,各マイクロストリップへのバイアス電圧供給抵抗,抵抗コンタクト面のnストリップ分離法,ストリップエッジの放射線損傷対策等に新しい工夫が施されている。この試作検出器の基本的な性質,性能については米国フロリダ州オランドーで開催された1992年IEEE学会核科学シンポジュームにおいて「Prototype Double Sided Silicon Sensor (DSSS) forSDC Detector」という題で研究代表者が発表した。
米国共同研究者達の開発したシリコン・マイクロストリップ用特殊集積回路と試作センサーとを組み合わせて放射線検出器を組み上げ,高エネルギー物理学研究所において高エネルギー粒子ビームを用いて第一回目の性能テストを実行した。米国側から延べ4人の研究者が参加し,日本側は研究代表者を含め7人が参加した。実験データは現在解析中であるが予備解析の結果によれば,50マイクロメーターピッチのマイクロストリップセンサーの各々の面ともに,15マイクロメータの粒子通過位置分野能を持ち,当初の目標を初回のテストで達成していることが分かった。現在このセンサーの放射線損傷テストモ進行中である。
センサー裏面のカップリングキャパシターの耐圧が十分でないことおよび不良ストリップ率があまり良くないこともわかったので,次のセンサーではこの点を改良する必要がある。また,読出しエレクトロニクスチップは裏面信号読出しのためには最適化されていないので,この点も改良する必要がある。これらは次年度の課題である。

  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] Takashi Ohsugi: "Prototype Double Sided Silicon Sensor (DSSD) for SDC Detector" 1992 IEEE Conference Report. (1993)

URL: 

公開日: 1994-03-23   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi