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1992 年度 実績報告書

半導体における光励起プロセスの基礎(総括班)

研究課題

研究課題/領域番号 04223103
研究機関東京工業大学

研究代表者

高橋 清  東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)

研究分担者 廣田 栄治  総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
服部 秀三  名古屋産業科学研究所, 電子機器部長 (10023003)
西澤 潤一  東北大学, 学長 (20006208)
伊藤 糾次  早稲田大学, 理工学部, 教授 (90063205)
明石 和夫  東京理科大学, 理工学部, 教授 (00013095)
キーワード光励起プロセス
研究概要

本研究グループは、「半導体における光励起プロセスの基礎」の研究の総括班として、研究全体のまとめを行なった。総括班会議は、第1回平成4年7月23日(木)東北大学、第2回平成5年1月29日(金)メルパルク広島にてそれぞれ開催した。
本年度は、平成3年7月23日(木)東北大学で研究会を開催した。研究会はテーマ討論会とし、下記に示す班別テーマに基づき各班4名の班員より研究発表を行なった。
A班:反応過程の制御
-反応素過程の診断・解明と制御-
B班:光励起表面反応の反応機構
C班:半導体薄膜成長における光励起反応の特質
D班:光プロセスの光診断
-光プロセス診断に光はどのように利用できるか-
また、その他の班員についてはポスターによる発表を行なった。
平成4年12月8日(火)には京大会館(京都)において公開講演会を開催した。発表は、A、B、C、Dの各班から1名の班員にお願いし、本研究で得られた本年度の成果を内外に紹介した。また、本年度の研究成果報告会をメルパルク広島(広島)にて、平成5年1月28日、29日の2日間にわたり開催し、本年度の成果及び本重点領域研究で得られた成果についてそれぞれの研究者からの研究告報を行なった。
さらに、それぞれの研究分担者の相互の情類交換として、本年度はニュースレターを1回出版し、また研究担当者名簿を発行した。

  • 研究成果

    (6件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (6件)

  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Wide bandgap II-VI compounds grown by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 261-268 (1992)

  • [文献書誌] Yasushi TAKEMURA: "Self-limiting growth with 0.5 monolayer per cycle in atomic layer epitaxy of ZnTe" J.Crystal Growth. 117. 144-147 (1992)

  • [文献書誌] Ying JIA: "Annealing characterization of heavily p-doped Si epitaxial films at low temperature" 21st International Conference on the Physics of Semiconductors. (1992)

  • [文献書誌] Makoto KONAGAI: "Photo-CVD processing for amorphous silicon solar cells" 6th International Photovoltaic Science and Engineering Conference. (1992)

  • [文献書誌] Wilson Walery WENAS: "Electrical and optical properties of boron-doped ZnO thin films for solar cells grown by metalorganic chemical vapor deposition" J.Appl.Phys.70. 7119-7123 (1992)

  • [文献書誌] Eisuke TOKUMITSU: "Heavily carbon doped p-type InGaAs by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 301-305 (1992)

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公開日: 1994-03-23   更新日: 2016-04-21  

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