金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究

1992 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 04299107
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)
• 研究分担者: 伊藤 利道 大阪大学, 工学部, 助教授 (00183004) ; 寺倉 清之 東京大学, 物性研究所, 教授 (40028212) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720) ; 菊田 惺志 東京大学, 工学部, 教授 (00010934)
• キーワード: 金属-半導体界面 / マイクロエレクトロニクス / 界面反応 / 積層界面

研究概要

平成元年度〜3年度に推進された重点領域研究「金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」で得られた研究成果を取纏め、社会に還元するための会議を開催し、成果報告書の出版を行うことが本研究の目的であった。このため、本研究組織が中心となって、以下のことを遂行または計画している。
1.今年度に開催された2度の応用物理学会でそれぞれシンポジウム「金属-半導体界面」を開催し、特に有用な研究成果を公表した。
2.4班から構成された研究組織により得られた過去3年間の研究成果を、その内容により5章に取纏め、B5版(436頁)の成果報告書として出版した。
3.得られた研究成果の主要部分を取纏め、6章より構成される英文の一般図書として出版する計画を進展させている。
4.日本学術振興会第154委員会の主催で開催予定(1993年11月軽井沢:組織委員長は本重点領域代表者)の「第1回半導体の界面制御に関する国際会議」で、主要な研究成果を口答発表した後、プロシーディング(英文)を出版することにより、得られた研究成果を広く海外にも公表する計画を進めている。
なお、本重点領域研究により、「金属-半導体」積層界面の固相反応とその電子状態とを、原子尺度で理論的・実験的に解明する糸口が得られ、「金属-半導体」界面の制御とその自在な設計を可能とする技術に関する重要な知見が得られた。また、X線を中心とする積層界面の評価技術の向上にも少なからぬ貢献をした。

研究成果

• [文献書誌] Akio Hiraki: "Recent Developments on Metal-Silicon Interfaces" Applied Surface Science. 56-58. 370-381 (1992)
• [文献書誌] Yusuke Mori: "Characterization of Metal/CVD Diamond Interface Formation" Applied Surface Science. 60-61. 296-300 (1992)
• [文献書誌] Yusuke Mori: "Surface Characteristics of Synthesized Diamond and the Effect of Surface Treatment on Surface Transformations" Applied Surface Science. 56-58. 89-93 (1992)
• [文献書誌] Masahiro Deguchi: "Diamond Growth on Carbon-Implanted Silicon" Applied Surface Science. 60-61. 291-295 (1992)
• [文献書誌] Yusuke Mori: "Oxygen Diffusion into Diamond Induced by Hydrogen Microwave Plasma" Applied Physics Letters. 66. 47-49 (1992)
• [文献書誌] Yusuke Mori: "Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Implantation Damage in Diamond Films Grown by Chemical Vapour Deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 31. 1191-1194 (1992)
• [文献書誌] Yusuke Mori: "Effect of Ambient on the Surface Resistance of Diamond Films during Cooling after Deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 31. 1718-1720 (1992)
• [文献書誌] T.Veno: "Quasi In-Situ Obervation of Si Lateral Solid Phase Epitaxy" Applied Surface Science. 56-58. 27-33 (1992)
• [文献書誌] I.Ohdomari: "A Model for Nucleation and Growth Mechanism of Si(III)7X7 Domains in the Si(III)-1X1 Matrix" Applied Surface Science. 56-58. 20-26 (1992)
• [文献書誌] T.Yamauchi: "Formation of Interfacial Layers and Electrical Conduction Mechanisms Dominating the Contact Resistivity in Refractory Metal-Si Contacts" Applied Surface Science. 56-58. 545-550 (1992)
• [文献書誌] M.Sakashita: "Observation of Si-SiO_2 Interface States within the Conduction Band by Tunneling Current Speetroscopy" Applied Surface Science. 56-58. 841-845 (1992)
• [文献書誌] E.Komiya: "Characterization of Buried Si Atomic Structures by High-Energy Ion Scattering Technique" IEICE Trams.Electron.E75-C(No.9). 1001-1006 (1992)
• [文献書誌] T.Ito: "Non-Destructive and Quantitative Analysis of Buried Interface of Si-Related Crystalline Multilayers Using High-Enegy Ion Scattering" Applied Surface Science. 56-58. 656-660 (1992)
• [文献書誌] 平木 昭夫: "金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究" 平木 昭夫, 436 (1992)