| 研究課題/領域番号 |
04452034
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
固体物性
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| 研究機関 | 大阪大学 (1994)
筑波大学 (1992-1993) |
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研究代表者 |
大貫 惇睦 大阪大学, 理学部, 教授 (40118659)
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| 研究分担者 |
摂待 力生 大阪大学, 理学部, 助手 (00251041)
杉山 清寛 大阪大学, 理学部, 助手 (00187676)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1994
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| キーワード | ドハース・ファンアルフェン効果 / 磁気相転移 / フェルミ面 / サイクロトロン質量 / 希土類化合物 / 重い電子系 |
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| 研究概要 |
ドハース・ファンアルフェン効果は、伝導電子(正孔)のフェルミ面の形状やサイクロトロン質量あるいは散乱の緩和時間を決定する最も有効な実験手段である。純良な希土類化合物の単結晶を育成し、磁気相転移をこのミクロな実験手段で研究した。3つの異なる磁気相転移の研究成果は以下に要約して示す。
(1)反強磁性体におけるメタ磁性
4f電子が完全に局在しているNdIn_3の常磁性状態のフェルミ面は、LaIn_3のフェルミ面とほぼ同じと考えて良いであろう。反強磁性状態でのフェルミ面は、LaIn_3のフェルミ面の結果と対比してLaIn_3のフェルミ面を小さな反強磁性の磁気ブリルアンゾーンで折り畳むことによって構築されることを明らかにした。
(2)1つは四重極モーメントによる磁気相転移であり、典型的な化合物としてPrCu_2を見出した。この物質は一重項基底状態を持つ斜方晶系の物質である。磁化の難易軸(C軸)と容易軸(a軸)が約70〜120kOeで入れかわることができる相転移である。この相転移は、四重極モーメントが本質的にからんでいるため、結晶の歪みを伴い伝導電子の散乱の緩和時間は著しく減少する。
(3)CeRu_2Si_2の基底状態のフェルミ面研究がより詳細になった。1つには良質な単結晶(残留抵抗比490)が育成されたことによる。
4f電子の遍歴性はより明確になった。更にこの4f電子の遍歴性が局在に変貌する激的フェルミ面の変化を19Tの強磁場領域まで拡張した。
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