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半導体表面での表面準位とキャリアの応答を観測することにより、半導体表面のダングリングボンド終端状態の精密分析が可能であることを明らかにする目的に対して、金属-酸化膜-半導体(MOS)ダイオードの酸化膜相当部分を取り除いた擬ダイオード構造を製作し、擬ダイオード構造の高周波数容量-電圧(C-V)特性を測定することにより、半導体表面のダングリングボンド終端状態を表面とキャリアの応答により分析が可能であることを実証している。また、半導体(シリコン)表面のダングリングボンドが水素で終端されている状態および酸素で終端されている状態の擬ダイオード構造の高周波数容量-電圧測定から、水素終端表面および酸素終端表面の表面準位密度は半導体表面のプロセス条件に対応することを確認している。さらに、最終的に出来上がったMOSデバイスのデバイス特性がどの製造プロセスで決定されているかを突き止める目的に対しては、MOSFETデバイスの信頼性は、ゲート酸化膜形成プロセスの半導体(シリコン)の昇温過程において半導体表面に成長する前処理酸化膜の品質に依存することを明らかにし、前処理酸化膜の厚さを薄くすることにより高信頼性MOSFETが実現できることを実証している。また、金属(タングステン)-半導体(シリコン)コンタクトの抵抗は、半導体表面の洗浄から金属薄膜成長までの過程において半導体表面に成長する自然酸化膜の量に依存することを明らかにし、半導体表面での自然酸化膜の成長を抑制することにより抵抗コンタクトが形成できることを実証している。
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