| 研究課題/領域番号 |
04453066
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
山根 正之 東京工業大学, 工学部, 教授 (40016382)
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| 研究分担者 |
矢野 哲司 東京工業大学, 工学部, 助手 (90221647)
安盛 敦雄 東京工業大学, 工学部, 助教授 (40182349)
柴田 修一 東京工業大学, 工学部, 助教授 (00235574)
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| キーワード | 非線形光学ガラス / CdS微粒子ドープガラス / PbS微粒子ドープガラス / ゾルゲル法 |
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| 研究概要 |
直径が10nm程度の球形のCdS、CdSe、Cucl、PbS等の半導体微粒子を多数含む、高感受率の三次の非線形光学ガラスの作製を目的として、5Na_2C・25B_2O_3・70SiO_2(mol%)の組成のガラスについて、ゾルゲル法によりCdSドープガラスの特性向上を主眼に研究を行った。またPbS微粒子ドープガラスについての作製条件の検討を行った。
Cd源の酢酸カドミウム含有量を20%まで増大させた前駆体を用いて作製したゲルでは、酢酸カドミウムを酸化カドミウムに変換するための酸化処理を400〜420℃で行うのが望ましく、酸化カドミウムを硫化カドミウムに変換するための硫化処理の最適温度域は120-150℃であることが明らかになった。
これらの条件下で作製したガラスはこれまでに得られていた値よりさらに高い非線形感度率を示した。また酢酸カドミウムのゲル細孔壁上への析出は、室温で作製したゲルを0℃近傍まで冷却し、核生成速度を増大することにより、粒子数および粒子径を制御するのに適していることが明らかになった。
PbS微粒子ドープガラスは、CdS微粒子ドープガラスの最適条件をもとに作製が可能であるが、硫化処理以降の粒成長が著しく、酢酸鉛のゲル細孔壁上への析出条件の厳密な制御が必要であることが明らかになった。
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