| 研究課題/領域番号 |
04555192
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
工業物理化学・複合材料
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
橋本 和仁 東京大学, 工学部, 助教授 (00172859)
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| 研究分担者 |
山本 京之介 三菱製紙(株), 筑波研究所, 主任研究員
兵頭 建二 三菱製紙(株), 筑波研究所, 主任研究員
馬場 涼 東京大学, 工学部, 助手 (70198951)
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| 研究期間 (年度) |
1992 – 1993
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| キーワード | 光CVD / II-VI族半導体超薄膜 / 固体表面反応 / レーザー光 / 超微細構造 |
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| 研究概要 |
レーザー光を利用した固体表面反応の制御は半導体生成、超格子作製など人工的に新しい物質を作る手段として有効なことがわかってきた。本研究ではレーザー誘起固体表面反応を利用して、一層ずつ反応を制御しながら(原子層エピタキシ-法、ALE)、微細構造を持つ酸化物、酸化物のII-VI半導体の超格子模を作製する技術を確立した。さらに、成模中に第2のレーザー光を導入することにより、膜物性のin-situコントロールを行い、マスクを用いない形での膜の平行方向への微細構造の作製を行った。物性の異なったある程度微細構造を有する膜が製作された。反応の分子論的機構をin-situな表面解析法と高速分光法により解析を行った。現有する熱CVDの装置に光源を2つ導入できる形に改良を行い、光CVDチャンバーを作製した。固体表面反応制御用の第一の光源としてエキシマーレーザー(ArF193nm)を使用した。
さらに、これらの研究成果を基に、安価で簡便なALE用パルスビーム装置を開発した。短波長発光素子の開発を行った。また、表面解析装置(リ-ドオージェ)を作製した。成膜装置の改良による高真空化表面の電子分光法による解析を可能とすることも行った。高速分光法と表面解析法による成膜機構の解明と成膜条件の最適化も行った。マスクと通して光照射を行うと光照射部のみに反応が進行することが認められ、膜の平行方面への微細構造の作製を可能にした。さらに、in-situで測定するための装置の一部である分光装置を新たに開発し、その性能の評価検討も行われた。
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