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科研費補助金によって10T超伝導磁石を平成4年度に導入することができ、これを用いたdHvA効果測定装置を4年度内に完成させた。これによって1.3K、10T領域でのdHvA効果の測定が可能となった。これまでは5Tの磁場に限られていたので、測定精度や内容が飛躍的に向上した。平成5年度より、この10T超伝導磁石を用いて反強磁性体SmGa2、PrGa2及びそれらの参照物質であるLaGa2の10Tの強磁場におけるdHvA効果の測定を行った。5T及び10T領域でのdHvA効果の測を通して、(1)強磁性相のSmGa2、PrGa2等のフェルミ面は互いに類似しており、かつLaGa2のそれにも類似している、(2)メタ磁性転移にともなって電子系に交換相互作用が誘起される、伝導電子系にスピン分離が起こる、(3)フェルミ面のネスティング効果がRGa2系に於ける磁気変調構造を安定化させるている、(4)SmGa2の常磁性状態のフェルミ面は反強磁性状態のそれとは異なった特徴を持つ、(5)SmGa2では、フェルミレベル直上にあるSm2+状態が特定軌道上の電子と強く混成し、電子質量を著しく増加させている、こと等を明かにした。
本研究は重に軽希土類化合物がその対象となったが、今後は重希土類化合物をも含めて研究を進めることにする。またSmGa2でみられた質量増強を定量化するには更に低温でのdHvA効果の測定が必要となる。これを行うために3Heを用いたクライオスタットの開発を現在進めている。平成6年度には、0.3K、10Tの超低温、超高磁場下でのdHvA効果の観測が可能になる。
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