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1.アンドープCuGaS_2の抵抗率制御
CuCl/Ga供給比によって成長結晶の抵抗率を制御した。S原料は過剰供給である。基板にはGaAs(100)を用い、成長温度は650℃である。CuCl/Ga供給比が0.2〜1.0にわたって、抵抗率は5〜8×10^4Ω・cm程度のものが得られた。これらの試料の伝導形はp形であり、電気伝導の温度依存性の活性化エネルギーは0.2eV程度であった。
2.Znドーピングによる抵抗率制御
成長時にZnビームを供給してZnドープCuGaS_2を作成した。CuCl/Ga供給比=0.6〜0.8においてZnセル温度を140〜190℃に変化させることにより、10^3〜10^1Ω・cmのp形結晶を得た。ZnドーピングはCuCl/Ga供給比に依存する。Zn温度140〜160℃の場合、CuCl/Ga供給比=0.35〜0.75の変化に対応して抵抗率は5×10^3〜2×10^2Ω・cmと変化した。この結果から、ZnはGa位置にはいってアクセプタになると思われる。Zn温度が170〜190℃の場合にはCuCl/Ga供給比が上の範囲で変化しても抵抗率は10^1Ω・cm程度でほぼ一定であった。抵抗率の温度変化の活性化エネルギーは0.2eV程度であった。
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