| 研究概要 |
1昇華法によるZnSe単結晶成長
necked-ampouleの先端部に細管を取り付けることにより、核形成を容易になることが分かった。これを用いて、11×11×10mm^3のZnSe単結晶を成長させた。(400)面の二結晶X線ロッキング曲線の半値幅は14秒で、きわめて良質の結晶が成長し,エピタキシャル成長基板として用いることができる。
2ZnS単結晶成長
ヨウ素輸送法で、2.8gの立方晶バルク単結晶成長に成功した。自由励起子エネルギーの温度依存性は、E=3.8044-9.0×10-^4T^2/(T+450.8)で表されることが明らかになった。
3電気化学堆積法によるZnSe膜堆積
(1)Se溶液とZn-NTA溶液あるいはZn-EDTA溶液の混合溶液で、カソード電極のTi金属あるいはn-ZnSe単結晶基板にZnSeを堆積した。
Znの還元電位(約-1.3〜-1.4V vs Ag/AgCl)より負側の電位でZnSeが堆積する。
(2)Ti金属上での堆積膜は、アモルファス状態である。
(3)n-ZnSe基板にZnSeを堆積して、室温で青色発光する発光ダイオードを作製した。堆積膜は、高品質のZnSe結晶で、エピタキシャル成長の可能性がある。
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