| 研究課題/領域番号 |
04650024
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
高田 新三 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
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| 研究分担者 |
石井 恂 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30222946)
福田 一郎 金沢工業大学, 工学部, 教授 (10064445)
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| キーワード | エレクトロルミネッセンス / ELディスプレイ / フルカラーEL / マルチカラーEL / 青色EL / セラミック形薄膜EL / フラットパネルディスプレイ |
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| 研究概要 |
本研究の目的は以下の通りである。【.encircled1.】現在CRTや蛍光灯用蛍光体として実用されている白色を含む多色発光各種酸化物蛍光体の高品質結晶性薄膜の成長技術、並びに最適作製条件を確立する。【.encircled2.】蛍光体薄膜材料の化学量論的組成比、並びに添加不純物と得られるEL特性との関係を調べ、EL素子用発光層として最適な化学量論的組成比、並びに不純物の添加量等を決定する。平行して、【.encircled3.】本酸化物蛍光体薄膜EL素子の素子物性を解明する。最終的には、【.encircled4.】EL特性の経時特性を調べ本酸化物蛍光体薄膜EL素子の性能を評価すると共に、素子封止技術を確立することによって、カラーELディスプレイとしての実用化を検討する。
本年度において得られた成果は次の通りである。【.encircled1.】焼結酸化物セラミックスを基板兼絶縁層として採用し、市販の酸化物蛍光体の焼結ターゲットを使用して、マグネトロンスパッタ法で薄膜を作製後、700℃以上でAr中アニールを実施した結果、酸化物蛍光体母体それぞれによって高輝度を得る最適アニール条件が異なるが、700℃から1200℃までの範囲でアニールした結果、いずれもほぼ900℃〜1050℃に集中した。【.encircled2.】BaTiO_3セラミック基板上に、化学気相成長(CVD)法で高温(400〜650℃)基板上にZn_2SiO_4を形成するため、ZnソースとしてZn(C_5H_7O_2)_2、SiソースとしてTEOS、Mn発光中心として、TCMをそれぞれ採用した。膜形成後800℃でアニールした結果、印加電圧250Vで0.04cd/m^2発光輝度を実現できた。【.encircled3.】発光中心として、希土類元素であるEuを採用したZn_2SiO_4:Tm、Zn_2SiO_4:EuまたはZn_2SiO_4:CeEL素子において、アニール温度1000〜950℃でそれぞれ2cd/m^2、5.2cd/m^2および6.3cd/m^2の青色発光が実現できた。さらに蛍光体母体としてY_2SiO_5:Ceを用いたEL素子においては14.2cd/m^2の青色発光が実現できた。そしてSr_2P_2O_7を発光母体とし、EuとMnを共ドープしたEL素子では、1020℃のアニールで最高19.8cd/m^2の青紫色発光を実現できた。
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