| 研究課題/領域番号 |
04650047
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
齋藤 弥八 三重大学, 工学部, 助教授 (90144203)
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| 研究分担者 |
畑 浩一 三重大学, 工学部, 助手 (30228465)
篠原 久典 三重大学, 工学部, 助教授 (50132725)
大下 昭憲 三重大学, 工学部, 教授 (80023240)
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| キーワード | フラーレン / 炭素クラスター / 薄膜 / 結晶構造 / エピタキシャル |
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| 研究概要 |
薄膜の作製には、クロマトグラフィーにより精製されたC_<60>および C_<70>を蒸発材料に用い、それぞれを抵抗加熱型の蒸発源からNaClおよび雲母の基板上に蒸着した。蒸発源の温度は約700℃とした。今年度は、まだ超高真空装置が完成してないので、既存の蒸着装置を用い、10^<-6>トル台の真空において薄膜作製を行なった。
1.C_<60>薄膜
NaCl上では、多くの面欠陥(双晶、積層欠陥)を含んだ多結晶膜が成長する。fcc構造が優勢であるが、積層の順序が乱れ局所的にhcp積層になっている部分もある。250℃まで基板温度を上げても単結晶薄膜を得ることができなかった。
しかし、基板を雲母に替えると、基板温度を130℃程度に上げるだけで、見事なエピタキシャル成長を示し、fcc構造の単結晶が得られる。これは、雲母〓開面の表面構造の周期0.52nmがC_<60>の最近接分子間距離1.00nmにほぼ等しいために、雲母表面がテンプレートになってC_<60>を整列させたためと考えられる。
2.C_<70>薄膜
C_<70>においても、NaCl上では多結晶であるが、雲母基板上ではfcc構造の単結晶薄膜が成長する。電子回折パターンには、C_<60>薄膜と同じく、非整数指数(4/3、2/3、2/3など)の付く弱い反射が現われる。これらは、理想的fcc積層から見て余分な層からの回折ロッドによるものと考えられる。最後に、雲 基板との方位関係は、C_<60>もC_<70>もともに、
(111)フラーレン||(001)雲母,[110]フラーレン||[100]雲母であることがわかった。
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