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発熱の発達については、発熱が生後何日目から起こる、といった現象面での研究はみられるものの、その根底にある機構に関する系統だった研究は成されていない。即ち、発熱は発熱物質が脳内でプロスタグランジ(PG)E2を産生させ、体温調節系の神経細胞がPGE2を受容し、体温調節遠心路を介して、末梢器官に伝達されて発現するのであるが、これらの各コンポーネントがどのように発達してくるのかは不明である。そこで本研究では、ラットを用いて、胎生後期から成熟するまでの間に、1.発熱物質による脳のPGE2産生能、2.脳内PGE2受容部位、3.脳内PGE2投与による体温調節反応がどのように発達してくるのかを、生化学的、組織学的、生理学的手法を用いて明らかにすることを目的とした。本年は脳内PGE2受容部位の発達について検討を行った。その結果、次のことが明らかになった。
1.ラットの脳のPGE2受容体の密度は胎生末期(妊娠20日目-22日目;22日目に出生)には極めて低い。
2.生産5日から7日にかけて脳全体にわたってPGE2受容体の急激な増加がみられ、その後、一部の領域を除いて次第に低下していく。
3.発熱に関与すると考えられている、第3脳室前壁部のPGE2受容体は生後1日目から周囲の領域より高い密度で存在するが、日齢を追って増加していき、5週齢でほぼ成熟ラットと同様の密度に達する。
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