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1.電析法によりZn-Ni合金ひげ結晶が成長した。条件としては、結晶表面をZnO膜が覆うことが必要であった。
2.理面上このZnO膜はpH上昇により形成される。そこで、微小アンチモン電極を作製して、電析表面のpH値を測定した結果、電析時間とともにpH2からpH4.5に上昇することが分かった。
3.この結晶中のNi含有量は、溶液中の半分程であった。従来異常共析は結晶表面をZn(OH)_2膜が覆っているためNiの電析を阻止するものとされていたが、むしろZnO膜の方がNiの析出阻止が顕著であった。
4.不純物制御や電流波形を三角波に変える事により、長さを20μmから120μm程に伸ばすことができた。
5.Co-Ni系でも500μm程のひげ結晶が成長したが、ラッパ型の空洞結晶となった。これは、電析物表面で発生する水素ガスの影響によるものであった。
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