| 研究課題/領域番号 |
05238102
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
大谷 俊介 電気通信大学, レーザー極限技術研究センター, 教授 (60023735)
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| 研究分担者 |
片山 一郎 東京大学, 原子核研究所, 教授 (30028237)
鶴渕 誠二 東京農工大学, 工学部, 教授 (60028248)
香川 貴司 奈良女子大学, 理学部, 教授 (30031686)
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| キーワード | 多価イオン / 分光 / 原子構造 / 相対論効果 / QED |
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| 研究概要 |
電子ビーム形多価イオン源(EBIS)の製作を完成し(平成7年9月)、電気通信大学レーザー極限技術研究センターに設置した。本体の真空排気を行い、液体ヘリウムの過冷却による真空度向上を観測し、超多価イオン生成への指針を得た。3T-4.5Tの超強磁場中に電子ビームを打ち込み、コレクターでの100%回収が達成されるべく、電子ビーム発生、輸送の試運転を行った。その結果、10KeV10mAから、90KeV100mAまでの電子ビームに対して、設計通り輸送できていることを確認した。また、固体X線検出器を用いて、タングステンの64価イオンがイオントラップ部に生成、蓄積されていることを観測し、この装置の設計製作が当初の設計目標を満たして完成、終了したことを確認した。
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