| 研究概要 |
本年度は、複合基板および酸化物基板上に調製した高配向膜およびエピタキシャル膜について、物性測定のためのエピタキシャル膜の合成因子や配向制御因子についてさらに検討し、物性測定による薄膜評価を行った。
K(Ta,Nb)O_3エピタキシャル膜の物性と分子の反応制御との関係を評価装置で検討した。KTNエピタキシャル膜のヒステリシスなどの性質が、反応制御により得られた前駆体の構造、組成により制御可能であることを見いだした。すなわち、金属/酸化物複合基板上のKTNエピタキシャル膜はTa/Nb比に応じたヒステレシスおよびキュリー点を示し、それらが基板からの影響を受けていることを明らかにした。非対称中心を有するβ-BaB_2O_4薄膜を種々の条件下で金属/酸化物複合基板および透明基板上において合成し、これらの基板上における高配向膜の合成のための制御因子を明らかにした。β-BaB_2O_4前駆体を高温用電気炉で処理した後、その結晶化挙動を解析することにより複合基板および透明基板上にβ相BaB_2O_4薄膜を合成し、X線回折測定により、c軸配向膜が結晶化していることを明らかにした。また、複合基板および透明基板上に結晶化させたβ-BaB_2O_4薄膜から2次高調波の発生を確認した。これにより、本法は非線形光学薄膜の調製にも有効であることが明かとなった。
また、高電圧電源、表面電位計による誘電体の分極についても検討した。
さらに(Sr,Ba)Nb_2O_6エピタキシャル膜の物性と分子の反応制御との関係を評価装置で検討し、タングステンブロンズ構造のSBNも酸化物基板上でエピタキシャル成長し、その物性が基板の影響を受けていることを明かにした。
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