| 研究概要 |
本年度は、最終年度であるため酸化物基板上におけるエピタキシャル膜の合成因子や配向制御因子について検討した。薄膜の物性測定も行い、エピタキシ-と物性との関連についても評価した。
K (Ta,Nb) O_3エピタキシャル膜の物性と分子の反応制御との関係を評価装置で検討した。KTNエピタキシャル膜のヒステリシスなどの性質が、反応制御により得られた前駆体の構造、組成により制御可能であることを見いだした。すなわち、金属/酸化物複合基板上のKTNエピタキシャル膜はTa/Nb比に応じたヒステレシスおよびキュリー点を示し、それらが基板からの影響を受けていることを明らかにした。非対称中心を有するβ-BaB_2O_4薄膜を種々の条件下で金属/酸化物複合基板および透明基板上において合成し、これらの基板上における高配向膜の合成のための制御因子を明らかにした。また、複合基板および透明基板上に結晶化させたβ-BaB_2O_4薄膜から2次高調波の発生を確認した。これにより、本法は非線形光学薄膜の調製にも有効であることが明かとなった。
このように、金属-有機化合物分子の反応制御による機能性薄膜の結晶化について、K (Ta, Nb) O_3、(Sr, Ba) Nb_2O_6、(Pb, Ba) Nb_2O_6、β-BaB_2O_4薄膜を研究対象とし、強誘電体および非線形光学結晶の高配向およびエピタキシャル薄膜が金属-有機化合物の反応制御により各種の基板上に合成できることを明らかにした。また、それらの薄膜の物性と金属-有機化合物の反応制御との関係を明らかにすることができた。
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