| 研究概要 |
シラン,ジシラン等を原料をするシリコンCVDプロセス,ナノクラスター形成に関する反応中間体の新しい高感度分析手法の開発を行いこれまで不明であった化学反応機構の詳細を明かにすることを目的としている。このため本年度は波長可変レーザーを光源とする光イオン化型TOF質量分析装置を開発し,反応中間体の検出を試みた。Si,Si_2,SiH,SiH_2等がSiH_3+O_2,Si_2H_5+O_2の反応中間体として検出された。
また,電子衝撃型質量分析装置,FT-IR装置,紫外吸収法,レーザー誘起螢光法等の多種類の高感度検出法を用いてこれらの反応系を多角的に検討し,得られた情報を総合して反応機構の初期過程に関して最終的な結論を導くことができた。
新しい知見として,SiH_3+SiH_3の反応におけるSi_2H_4の生成チャンネルがそれ程大きくないこと,また,H_2,D_2添加実験よりSiH_2が低圧ではSi_2H_6生成の主経路であることが定量的に測定された。
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