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弱い相互作用による中性子スピン回転の実験精度の向上を計るため、中性子スピン移送系の改良と、中性子スピン解析器の性能向上を行った。
中性子スピンは、標的が挿入されている超伝導箱に入射する直前に、ビーム軸方向から水平面内で横方向に回転される。このとき、スピンの断熱通過の条件が満たされるように磁場を作る必要がある。また、超伝導箱透過直後弱い相互作用による中性子スピン回転で生じた垂直成分は、垂直磁場で保持され、断熱通過法によって、ヘリウム3中性子スピン解析器に導かれる。これまでに、断熱条件が少しあまかった箇所が判明したので、中性子スピン移送用コイルを増強により、断熱条件の不足による系統誤差を小さくした。また、回転角検出感度は、ヘリウム3原子核の偏極率に、おおきく依存する。偏極率はヘリウム3ガスを封入するガラス容器の素材や、製造法、洗浄法に大きく依存する。今回、洗浄法の開発を行ない、優れた特性を持つ、ヘリウム3セルを安定して供給できるようにした。これは、中性子スピン回転の統計精度をあげる上で重要な貢献をする。
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