| 研究課題/領域番号 |
05452093
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小間 篤 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (00010950)
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| 研究分担者 |
島田 敏宏 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (10262148)
上野 啓司 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (40223482)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| キーワード | 有機・無機超格子 / フタロシアニン / アルカリハライド / ファンデルワールス相互作用 / 傾斜基板 / 一次元構造 / エピタキシ- / 分子配向 |
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| 研究概要 |
本課題では、ファンデルワールス界面に分子線エピタキシ-を応用した手法であるファンデルワールス・エピタキシ-を有機分子に適用して、従来全く例のない有機・無機エピタキシャル超格子の作製とその物性解明を目指して研究を行った。得られた成果は以下の通りである。(1)KBr-VOPc系でエピタキシャル関係を保った有機・無機超格子をはじめて実現した。(2)原子間力顕微鏡(AFM)による観察により、有機分子のエピタキシャル成長において、基板温度や分子線フラックスを変化させることにより成長膜のモルフォロジーを制御できることを明らかにした。これは、分子レベルで平坦な有機・無機超格子を作製する上で重要である。(3)単結晶傾斜基板上に規則的に存在するステップを用いて分子配向を制御できる可能性を実証した。これは、有機・無機エピタキシャル超格子の作製上不可欠な有機層のシングルドメイン化を行う有力な手法となることが期待される。また、有機分子の配列がステップに影響されて一次元的な秩序をとることも明らかになった。これは、超格子に対するいわば「量子細線」を有機分子に対して人工的に作製する方法をはじめて与えるものである。(4)無機物による有機分子超薄膜・微細構造のキャッピングは、保護膜として有効であることを明らかにした。(5)新たに、Se終端化したGaAs(111)基板がエピタキシャル成長の基板として有効であることを見いだし、VOPc、AlClPcのエピタキシャル成長を行い、成長膜の分子配列を決定した。また、アルカリハライド上にシングルドメイン成長できる新たな有機分子として、四角酸を見いだした。四角酸は反強誘電体として知られており、エピタキシャル膜やアルカリハライドとの有機・無機超格子に発現する新物性が期待される。
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