| 研究課題/領域番号 |
05452111
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
藤安 洋 静岡大学, 工学部, 教授 (60022232)
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| 研究分担者 |
疋田 京子 静岡大学, 工学部, 助手 (00252164)
石田 明広 静岡大学, 工学部, 助教授 (70183738)
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| キーワード | Thin film / Electroluminescence / Superlattice / II-VI compound / Semiconductor laser / Hetero epitaxy |
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| 研究概要 |
EL素子の作製・評価:新規に購入したロードロック真空装置(LLVS)を用いてZnS(Mn)薄膜を作製し膜厚制御が可能となった。(1)赤色EL素子としてCdTe(Mn)-ZnS超格子発光層を無添加同超格子で二重に積層した素子で輝度が改善された(1000cd/m2)(2)赤色発光の原因を解明するために14%の格子不整合を有するZnTe-ZnS超格子でも赤色発光を観測し、更にこの場合、タイプ2超格子で期待されるバンド端発光が青色領域に観測された。(3)SrS(Ce)青色発光素子に関しては、LLVSを用いることにより、SrS層の膜厚制御が一段と向上し、又ZnS薄膜上にSrS(111)成長が可能であることが判明し、これは青色成分の輝度向上用のSrS-ZnS-CdSSe系量子井戸構造或いは超格子の作製が大いに期待されることを示してる。
青色レーザ素子の作製:Cl添加n型ZnSe-ZnS超格子で電子密度が6×10^<18>cm^<-3>、移動度=30cm^2/Vsecを得、又N添加p型ZnSe-ZnS超格子で、正孔密度(p)が2×10^<16>cm^<-3>、移動度が0.4cm^2/Vsecを得た。更にこれらの不純物を添加したZnSeのpn接合ダイオードに関して、77K及び室温で、DCELのバンド端(2、7eV)発光に成功した。LLVSを用いた場合、ZnSe-ZnS超格子で、SとSeの拡散が2原子層以内である成長が可能となった。また、N添加に関しては、成長率15A/secで、p=10^<16>cm^<-3>台のp型薄膜を得られた。ZnTeでのN添加確認はSIMS測定においてCsNの信号を捉えることで始めて可能となった。以上の結果よりZnCdSSe系のダブルヘテロレーザーの作製が大いに期待されることとなった。
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