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1993 年度 実績報告書

共役高分子膜の分子線エピタキシー法による堆積とエレクトロニクスへの応用

研究課題

研究課題/領域番号 05452185
研究機関電気通信大学

研究代表者

野崎 真次  電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (20237837)

研究分担者 高橋 清  東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
小野 洋  電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867)
森崎 弘  電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
キーワード共役高分子 / 分子線エピタキシー / 有機半導体
研究概要

当初の計画においては、高分子膜成長開始は平成5年度の予定だったが、予想以上に、MBE装置の修理に時間がかかり、平成6年度にもちこされる結果になった。積極的な情報収集により、高分子膜を真空蒸着する際の供給セル温度の均一性の重要性が理解され、そのためのセル設計のノウハウが修得された。これらは今後の堆積膜の高品質化に役立つ。また、蒸気圧の比較的低いフタロシアニン、ポリイミド系は、基板の冷却を必要とせず高品質膜が可能と見通しがついた。具体的な研究実積を以下に示す。
1.現存のMBE装置改造
代表者の東工大から電通大への移動により装置の移管が行われた。装置は故障が多く長期間使用されなかったので高真空を得るための真空ポンプ部品の修理交換が行われ、真空度10^<-8>torrを保持できる様になり高分子膜の成長が可能な状態になった。
2.情報収集
高分子膜の真空蒸着に関する情報は数少なく、積極的に関連研究を行なっている数ケ所の研究機関を訪問し、高分子膜の真空蒸着に携わっている研究者から装置及び実験上のノウハウを詳しく聞き、数々の参考文献も取得した。これらの情報をもとに、今後実験を行なう際の重要点が明確に理解された。
平成6年度は、本研究の最終年度であるので、高分子堆積条件の最適化、堆積膜の電気・光物性評価に重点を置きこれまでの研究成果の取りまとめを行う。

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公開日: 1995-02-08   更新日: 2016-04-21  

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