| 研究課題/領域番号 |
05452275
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
足立 裕彦 京都大学, 工学部, 教授 (60029105)
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| 研究分担者 |
沼倉 宏 京都大学, 工学部, 助手 (40189353)
白井 泰治 京都大学, 工学部, 助教授 (20154354)
成田 舒孝 京都大学, 工学部, 助教授 (10026213)
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| キーワード | 金属中不純物 / DV-Xα法 / 電子状態 / 化学結合状態 / クラスターモデル |
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| 研究概要 |
今年度の主要な結果は以下にまとめられる。
1.Fe中の侵入型不純物HやHeの電子状態をDV-Xαクラスター法を用いて計算した。H原子がbcc-Fe中の格子間位置に存在するときの格子歪に伴う結合次数変化を調べたところ、O-siteでは格子歪が20%、T-siteでは10%付近で結合次数が最大となった。同様に、He原子についてはO-siteで20%で最大となるが、T-siteでは単調減少した。この変化は、H原子およびHe原子の侵入による化学結合の安定性を反映していると考えられ、H原子近傍では10〜20%程度の格子歪を、またHe原子近傍ではO-siteで20%の格子歪を伴うことを示唆した。しかし、T-siteではその効果はみられなかった。
2.また代表的なケイ化物であるCoSi_2についてもその原子空孔と侵入型不純物の相互作用を陽電子寿命測定に基づいて解析した。
3.金属中の格子間原子の電子状態を分光学的に追求する方法の一つとして、透過型電子顕微鏡を用いた電子線エネルギー損失分光の吸収端微細構造(ELNES)が近年注目されている。本研究によって、DV-Xαクラスター計算により、このELNESを第1原理的に解析する方法を新たに見出した。
4.平成5年度、6年度の研究成果をもとに検討し、金属結晶中の侵入型不純物の挙動について総括した。
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