| 研究概要 |
(1)マイクロ波CVDに直流バイアスを重量して活性イオンを分離した。
(2)この活性炭素を基板に衝突させることにより、炭素クラスターを形成した。
(3)炭素クラスターにイオンが衝突することによりSp^2からSp^3相転移を行わせ、ダイヤモンド核のプリカーサ形成を行った。
(4)この過程は生成物のFE-SEM,X-TEM,XpS等の分析により確認した。
(5)この結果より初期の研究目的である核発生メカニズムおよび核前駆体形成のイオンエネルギーによるモデル構築に成功した。
(6)このモデルに立って核の高密度化(10^<12>/cm^2以上),選択成長(0.4μ幅ストライプ),ヘテロエピタキシ(60%部分的方位整合)など新しい応用についても報告した。
(7)このイオン効果による核形成モデル及びその応用について内外の学会で報告し高い評価を得た。
(8)今後はこの研究を基礎としてダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長を完成させる計画である。
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