| 研究課題/領域番号 |
05453077
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
高田 雅介 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (20107551)
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| 研究分担者 |
ヒューブレヒツ ベン 長岡技術科学大学, 工学部, 助手 (60251849)
河合 晃 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (00251851)
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| キーワード | PTCR / ICTS / チタン酸バリウム / 酸化 / 粒界 / 電子捕獲 / HIP / 酸化亜鉛 |
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| 研究概要 |
キュリー点以上の狭い温度領域において、BaTiO_3半導体の比抵抗が急激に上昇するPTCR(Positive Temperature Coefficient Resistivity)特性はヒーターやセンサー、消磁装置、安全回路等として多くの重要な製品に応用されている。本研究においてアクセプター(Mn)及びドナー(Sb)を添加したBaTiO_3においてO_2-HIP(Hot Isostatic Press)による高い酸素分圧(Po_2)雰囲気での熱処理によりアクセプター準位密度(Ns)と同様にアクセプター準位の伝導帯下からの差をとったエネルギーギャップ(Es)が増加することを解明した。また、今回の研究に基づき、現象論的PTCRモデルと現象論的PTCRチャートを提唱した。また現象論的PTCRチャートにより、酸化時間、アクセプター添加、及び熱処理中のPo_2がともに関係を持ちながら最適化されるべきであることも初めて明らかにした。
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