| 研究課題/領域番号 |
05453094
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
荻野 文丸 京都大学, 工学部, 教授 (50026069)
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| 研究分担者 |
河合 一穂 京都大学, 工学部, 助手 (00231267)
稲室 隆二 京都大学, 工学部, 助教授 (20263113)
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| キーワード | CVD装置 / 淀み点流れ / 回転円板流れ / 境界層 |
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| 研究概要 |
半導体の薄膜製造において、従来のCVD装置の大部分は、チャンバー内に水平に置かれた基板に平行にガスを流すタイプである。このタイプの装置では、基板面上に形成される境界層の厚さは流れ方向に変化し、従って、薄膜の膜厚、膜内の各化学種の組成等を均一にするのが難しい。そこで、本研究では、淀み点流れと回転円板上の境界層厚さが一定であることに着目し、基板回転型のCVD装置を開発することを目的とし、チャンバー内の回転円板に垂直に流体が流れる場合の流れ場および温度場について実験的に調べた。その結果、以下のことが明かになった。
1.円板上の境界層が層流から乱流に遷移するレイノルズ数は約2×10^5である。
2.上記の遷移レイノルズ数は吹き込み流速の影響をほとんど受けない。
3.円板上の境界層内の流速分布は、層流域では解析解とよく一致し、また、乱流域では対数分布則が成り立つ。
4.層流域では、円板上の温度変動はほとんどなく、伝熱係数は半径位置によらず一定値になる。
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