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現在の光記録としては光磁気や相変化型の光メモリー方式が主としてされているが、これらの光メモリーは、スポットの1点を1ビットとしているため、セスする半導体レーザー光の回折限界の1μmが記録密度の上限を決めており、その値は10^8ビット/cm^2である。これに対し、PH8光リ-はスポットの一点に種々の周波数をもった光で書き込みや読み込みができる周波重型なので、従来のものより、1000〜1万倍の記録密度の向上がはかれる。現在HB光メモリーとしては有機色素をドープした高分子材料の開発が一般的であるが、ルが定温では形成されず、そのために動作温度は80K以下の極低温に制限されていところが、研究代表者らは、サマリウムイオンを2価の状態で酸化物ガラスにドープことに成功し、その結果、定温でPHB現象の生じることをはじめて見出した。このルは永続的であり、綿幅が広いことを除けば応用への可能性が十分期待できる。そこ多くのガラス組成を対象に綿幅をいかに狭くすることができるかの検討を行った。結して、Al_2O_3を数モル%導入することにより、ホウ酸ラス中のSn^<2+>のホール中を1/10以下にすることができた。これl-O結合がB-O結合を架橋することにより、Sn^<2+>の配位子をフな環境にすることができたためと考えられる。以上により、本研究により、定温で多が100〜200のホールバーニング材料を作製することができた。
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