| 研究課題/領域番号 |
05555014
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
春名 正光 大阪大学, 医学部, 教授 (20029333)
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| 研究分担者 |
裏 升吾 大阪大学, 工学部, 助手 (10193955)
西原 浩 大阪大学, 工学部, 教授 (00029018)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| キーワード | 集積光学 / レーザビーム描画装置 / 光デバイス |
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| 研究概要 |
等速性に優れた微動ステージとレーザビーム(LB)集光・変調光学系を融合して、精度<0.1μmで4インチ基板に対応できる光集積デバイス用高精細LB描画装置を試作することを目的として研究を推進した。主要な研究成果は以下のとおりである。
1.クローズドループ制御X-Yステージ、442nmHe-Cdレーザ集光・変調光学系、およびこれらを同期して駆動する電子回路制御系を統合・整備して、精度<0.1μm、描画速度0.2-10mm/s、速度揺らぎ<5×10^<-4>、描画面積10×10cm^2のLB描画装置を試作した。
2.上記のLB描画装置を駆使して、まずLiNbO_3(LN)基板上にプロトン交換/Ti拡散異種導波路間の分布結合を利用したモードスプリッタを提案・作製した。作製した素子は設計どおり12dBの消光比を示し、試作したLB描画装置が0.1μmの精度を有することを実証した。
3.我々が提案した周期点列LB描画法を用いて、周期が80nmづつ異なるくし形電極を作製し、同一LN基板上に8個のTE-TMモード変換形光波長フィルタを集積化した。各々のフィルタの中心波長間隔はΔλ_c=5.4nmであり、設計値と良く一致し、この結果から微動ステージの速度揺らぎが<10^<-4>であることを実証した。
4.さらに、NdドープMgo:LNレーザの導波路パタ-ニング、およびレーザアブレーション堆積LN結晶膜の電気光学効果評価のための周期電極用マスク作製にもLB描画装置を利用し、いずれも<0.1μm精度の描画精度を確認した。
5.上記の研究と並行して、関連企業の研究者と共同で実用的なLB描画装置についても検討を進め、現在までにレーザ干渉計を用いたクローズドループ制御ステージと自動焦点機構を備えた精度0.05μm、描画面積20×20cm^2の実用装置を試作している。
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